Projekta Nr.: 1.2.1.1/18/A/008

Pētījuma mērķis: organizēt eksperimentāli rūpniecisku silīcija monokristālu ražošanu, ko izmanto elektronisko ierīču ražošanā.

Finansējuma saņēmējs: SIA “Mašīnbūves kompetences centrs”

Pētījuma īstenotājs: Latvijas Universitāte

Pētījuma Nr. un nosaukums: Nr. 4.5 „ Tehnoloģiskie pētījumi un silīcija ražošana ar diametru līdz 100 mm izmantošanai vājstrāvas un lieljaudas mikroelektronikas cietvielu ierīcēs”

Sadarbības iestāde: Centrālā finanšu un līgumu aģentūra

 

Projektā paveiktais pa periodiem:

Uzlabots esošais pjedestāla metodes matemātiskais modelis, papildinot to ar augstfrekvences lauka aizsargekrānu un spirālveida zemfrekvences sānu sildītāju. Izmantojot šo modeli, optimizēta augstfrekvences induktora forma lielāka kristāla diametra iegūšanai. Procesa stabilitātes palielināšanai tā uzsākšanas stadijā aprēķināta papildus lampu sildīšanas sistēmas nepieciešamā jauda un tās konfigurācija.

Augstfrekvences induktora optimizācijai izveidots jauns automātisks optimizācijas skripts un veiktas optimizācijas studijas 60 un 90 mm diametra kristāliem, kā arī 36 mm kristāla aizmetnim kombinācijā ar lampu sildītāju. Optimizācijas mērķis ir izveidot induktora formu, kas nodrošinātu stabilu procesa norisi gan liela diametra kristāliem, gan sākotnējam kristāla aizmetnim.