Trešdien, 10.oktobrī plkst. 12.30, Ķengaraga ielā 8, 2.stāva zālē Dr.habil.phys. J.Purāns (LU CFI) „Inovatīvi stiklu pārklājumi”

Inovatīvi, funkcionāli stiklu pārklājumi no mūsdienu tehnoloģiju viedokļa iegūst pilnīgi jaunus aspektus, ievērojot to fizikālo īpašību kopumu, kuru iespējams sasniegt, izgatavošanas procesā manipulējot ar stikla pārklājumu virsmu īpašībām makro- un nanomērogā. Tā, piemēram, antireflektīvi, zemas siltuma caurlaidības, elektrovadoši, hidrofobi un citi pārklājumu veidi, kuri iegūst pieaugošu nozīmi energoefektīvas arhitektūras, solāro paneļu u.c. pielietojumos. ERAF projekta izstrādes gaitā Latvijas Universitātes Cietvielu fizikas institūtā tiek risinātas fizikālās un tehnoloģiskās problēmas, radot jaunus, komerciāli pieprasītus un eksportspējīgus produktus ar augstu pievienoto vērtību. Daudzām enerģētikas ierīcēm ir vajadzīgi caurspīdīgu vadošu oksīdu (TCO) pārklājumi kā nepieciešamais elements to veidošanai. Tas paver nozīmīgas komerciālas iespējas nodrošināt iekārtas šādu TCO pārklājumu iegūšanai. Patlaban pieejamās iekārtas šādu TCO pārklājumu ražošanai balstās uz dārgo indija oksīda (ITO) materiālu kā starta izejvielu, lai ražotu TCO pārklājumus ar augstāko kvalitāti. LU CFI izstrādā pamata tehnoloģijas ar daudz zemākām augstākās kvalitātes TCO plāno kārtiņu pārklājumu izmaksām. Projekta ietvaros LU CFI tiek veikta dažādu materiālu, jaunu izsmidzināšanas tehnoloģiju un risinājumu izpēte uz līdzstrāvas un impulsa magnetrona avota bāzes (High Power Impulse Magnetron Sputtering - HIPIMS US patents, pirmais industriālais tehnoloģijas pielietojums - UK 2004.g.). LU CFI vēlas izstrādāt pamata tehnoloģijas ar daudz zemākām TCO plāno kārtiņu pārklājumu izmaksām, kas var tikt ietvertas jaunā iekārtu sistēmā ar impulsa HIPIMS magnetrona avotu, kas balstās uz (i) alumīnija (Al) (AZO) p-tipa TCO, (ii) irīdija (Ir) (IRZO) p-tipa, (iii) gallija (Ga) cinka oksīdu (GaZO) p-tipa TCO, kā arī (iv) uz daudzslāņu cinka oksīdu ZnO/Me/ZnO pārklājumu (Me=Ni, Mo,..). Teorētiskie lielmēroga DFT aprēķini (J.Žukovska grupa) ļāva secināt par elektronisko un ģeometrisko parametru izkropļošanu ZnO sistēmās ar Al vai Ga atomu piemaisījumiem.

Dalīties